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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.21 | 雪崩能效等级（Eas）： | 36 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 18 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 18 A | 最大漏源导通电阻： | 0.077 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 51 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 73 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK75 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
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| BUK7504-40A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET |
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| BUK7504-40A,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin |
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| BUK7505-30A | NXP |
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TrenchMOS transistor Standard level FET |
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| BUK7505-30A,127 | NXP |
获取价格 |
BUK7505-30A - N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin |
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| BUK7506-30 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Standard level FET |
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| BUK7506-30,127 | NXP |
获取价格 |
75A, 30V, 0.006ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUK7506-30127 | NXP |
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TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp |
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| BUK7506-55A | NXP |
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TrenchMOS transistor Standard level FET |
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| BUK7506-55A,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin |
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