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BUK7275-100A

更新时间: 2024-11-20 22:17:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 264K
描述
TrenchMOS standard level FET

BUK7275-100A 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-252
包装说明:PLASTIC, SC-63, DPAK-3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.17雪崩能效等级(Eas):100 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):21.7 A
最大漏极电流 (ID):21.7 A最大漏源导通电阻:0.075 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):89 W最大脉冲漏极电流 (IDM):87 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BUK7275-100A 数据手册

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BUK7275-100A  
TrenchMOS™ standard level FET  
Rev. 01 — 25 October 2000  
Product specification  
1. Description  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™1 technology, featuring very low on-state resistance.  
Product availability:  
BUK7275-100A in SOT428 (D-PAK).  
2. Features  
TrenchMOS™ technology  
Q101 compliant  
175 °C rated  
Standard level compatible.  
3. Applications  
Automotive and general purpose power switching:  
12 V, 24 V and 42 V loads  
c
c
Motors, lamps and solenoids.  
4. Pinning information  
Table 1: Pinning - SOT428 (D-PAK), simplified outline and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
mb  
2
drain (d)  
d
s
3
source (s)  
drain (d)  
mb  
g
2
MBB076  
1
3
Top view  
MBK091  
SOT428 (D-PAK)  
1. TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.  

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