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BUK725R0-40C

更新时间： 2024-11-21 06:44:39

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管脉冲放大器
页数	文件大小	规格书
13页	215K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET

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BUK725R0-40C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-63	包装说明：	PLASTIC, SC-63, DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
雪崩能效等级（Eas）：	240 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.005 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	490 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK725R0-40C 数据手册

BUK725R0-40C

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 01 — 23 March 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a

plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed

and qualified to the appropriate AEC standard for use in high performance automotive

applications.

1.2 Features and benefits

AEC Q101 compliant

Avalanche robust

Suitable for standard level gate drive

Suitable for thermally demanding

environment up to 175°C rating

1.3 Applications

12V Motor, lamp and solenoid loads

High performance Pulse Width

Modulation (PWM) applications

High performance automotive power

systems

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

drain current

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C; see Figure 1;

see Figure 3;

[1]

P_tot

total power dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

157

240

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive drain-source I_D= 75 A; V_sup≤ 40 V; R_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V;

avalanche energy

T_j(init)= 25 °C; unclamped

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; V_DS= 32 V; T_j= 25 °C;

see Figure 15

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C;

see Figure 12; see Figure 13

4.1

mΩ

[1] Current is limited by package.

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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