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BUK7222-55A,118 PDF预览

BUK7222-55A,118

更新时间： 2024-10-01 14:49:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 102K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET DPAK 3-Pin

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BUK7222-55A,118 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：DPAK包装说明：PLASTIC, SC-63, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.19雪崩能效等级（Eas）：160 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：48 A
最大漏极电流 (ID)：48 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：103 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：193 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUK7222-55A,118 数据手册

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BUK7222-55A  
TrenchMOS™ standard level FET  
Rev. 01 — 17 April 2001  
Product specification  
M3D300  
1. Description  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™1 technology, featuring very low on-state resistance.  
Product availability:  
BUK7222-55A in SOT428 (D-PAK).  
2. Features  
■ TrenchMOS™ technology  
■ Q101 compliant  
■ 175 °C rated  
■ Standard level compatible.  
3. Applications  
■ Automotive and general purpose power switching:  
◆ 12 V and 24 V loads  
c
c
◆ Motors, lamps and solenoids.  
4. Pinning information  
Table 1: Pinning - SOT428 (D-PAK), simplified outline and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
mb  
2
drain (d)  
d
s
3
source (s)  
drain (d)  
mb  
g
2
MBB076  
1
3
Top view  
MBK091  
SOT428 (D-PAK)  
1. TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.  
 
 
 
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BUK7222-55A,118 替代型号

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