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BUK7226-100B

更新时间： 2024-10-01 14:48:11

品牌	Logo	应用领域
飞利浦 - PHILIPS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	86K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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BUK7226-100B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	48 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

BUK7226-100B 数据手册

BUK7226-100B

TrenchMOS™ standard level FET

Rev. 01 — 10 December 2002

Objective data

M3D300

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS™ technology, featuring very

low on-state resistance.

Product availability:

BUK7226-100B in SOT428 (D-PAK)

1.2 Features

■ TrenchMOS^TMtechnology

■ 175 °C rated

■ Q101 compliant

■ Standard level compatible

1.3 Applications

■ Automotive systems

■ 12 V, 24 V and 42 V loads

■ Motors, lamps and solenoids

■ General purpose power switching

1.4 Quick reference data

■ E_DS(AL)S≤ 147 mJ

■ I_D≤ 48 A

■ R_DSon= 22 mΩ (typ)

■ P_tot≤ 150 W

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT428 (D-PAK), simpliﬁed outline and symbol

Pin Description

Simpliﬁed outline

Symbol

gate (g)

[1]

drain (d)

source (s)

mb mounting base;

connected to

MBB076

drain (d)

Top view

MBK091

SOT428 (D-PAK)

[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT428 package.

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