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BUK7214-75B

更新时间： 2024-11-25 12:48:31

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恩智浦 - NXP		/
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描述
N-channel TrenchMOS standard level FET

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BUK7214-75B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	PLASTIC, SC-63, DPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.3	雪崩能效等级（Eas）：	133 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	75 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	70 A
最大漏极电流 (ID)：	70 A	最大漏源导通电阻：	0.014 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	185 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	167 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	283 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

BUK7214-75B 数据手册

BUK7214-75B

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 02 — 3 February 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

AEC Q101 compliant

Suitable for standard level gate drive

sources

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Suitable for thermally demanding

environments due to 185 °C rating

1.3 Applications

12 V, 24 V and 42 V loads

Automotive systems

General purpose power switching

Motors, lamps and solenoids

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 185 °C

I_D

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

167

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C; see Figure 11;

see Figure 12

12.6 14

mΩ

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)S

non-repetitive

drain-source avalanche

energy

I_D= 70 A; V_sup≤ 75 V;

133 mJ

R_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V;

T_j(init)= 25 °C; unclamped

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

V_DS= 60 V; T_j= 25 °C;

see Figure 13

12 3 4 5 6 7...14

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