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BUK7214-75B,118

更新时间: 2024-11-21 19:55:11
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恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 86K
描述
BUK7214-75B - N-channel TrenchMOS standard level FET DPAK 3-Pin

BUK7214-75B,118 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:DPAK包装说明:PLASTIC, SC-63, DPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.2雪崩能效等级(Eas):133 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:75 V最大漏极电流 (Abs) (ID):70 A
最大漏极电流 (ID):70 A最大漏源导通电阻:0.014 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:185 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):167 W最大脉冲漏极电流 (IDM):283 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BUK7214-75B,118 数据手册

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BUK7214-75B  
TrenchMOS™ standard level FET  
Rev. 01 — 26 January 2004  
Product data  
M3D300  
1. Product profile  
1.1 Description  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using  
Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS™ technology.  
1.2 Features  
Very low on-state resistance  
185 °C rated  
Q101 compliant  
Standard level compatible.  
1.3 Applications  
Automotive systems  
12 V, 24 V, and 42 V loads  
Motors, lamps and solenoids  
General purpose power switching.  
1.4 Quick reference data  
EDS(AL)S 133 mJ  
ID 70 A  
RDSon = 12.6 m(typ)  
Ptot 167 W.  
2. Pinning information  
Table 1:  
Pinning - SOT428 (D-PAK), simplified outline and symbol  
Pin Description  
Simplified outline  
Symbol  
1
2
3
gate (g)  
d
mb  
[1]  
drain (d)  
source (s)  
g
mb mounting base;  
connected to  
s
MBB076  
drain (d)  
2
1
3
Top view  
MBK091  
SOT428 (D-PAK)  
[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT428 package.  
 
 
 
 
 
 
 

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