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BUK7212-55B

更新时间： 2024-11-20 21:54:51
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 98K
描述
TrenchMOS standard level FET

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BUK7212-55B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-252
包装说明：PLASTIC, SC-63, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.22雪崩能效等级（Eas）：173 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.012 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：185 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：167 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：335 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUK7212-55B 数据手册

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BUK7212-55B  
TrenchMOS™ standard level FET  
Rev. 01 — 23 January 2004  
Product data  
M3D300  
1. Product profile  
1.1 Description  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using  
Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS™ technology.  
1.2 Features  
■ Very low on-state resistance  
■ 185 °C rated  
■ Q101 compliant  
■ Standard level compatible.  
1.3 Applications  
■ Automotive systems  
■ 12 V and 24 V loads  
■ Motors, lamps and solenoids  
■ General purpose power switching.  
1.4 Quick reference data  
■ EDS(AL)S ≤ 173 mJ  
■ ID ≤ 75 A  
■ RDSon = 10.2 mΩ (typ)  
■ Ptot ≤ 167 W.  
2. Pinning information  
Table 1:  
Pinning - SOT428 (D-PAK), simplified outline and symbol  
Pin Description  
Simplified outline  
Symbol  
1
2
3
gate (g)  
d
mb  
[1]  
drain (d)  
source (s)  
g
mb mounting base;  
connected to  
s
MBB076  
drain (d)  
2
1
3
Top view  
MBK091  
SOT428 (D-PAK)  
[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT428 package.  
1234567...12

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BUK7212-55B 替代型号

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