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BUK7212-55B

更新时间: 2024-09-30 21:54:51
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 98K
描述
TrenchMOS standard level FET

BUK7212-55B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-252
包装说明:PLASTIC, SC-63, DPAK-3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.22雪崩能效等级(Eas):173 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:55 V最大漏极电流 (Abs) (ID):75 A
最大漏极电流 (ID):75 A最大漏源导通电阻:0.012 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:185 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):167 W最大脉冲漏极电流 (IDM):335 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BUK7212-55B 数据手册

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BUK7212-55B  
TrenchMOS™ standard level FET  
Rev. 01 — 23 January 2004  
Product data  
M3D300  
1. Product profile  
1.1 Description  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using  
Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS™ technology.  
1.2 Features  
Very low on-state resistance  
185 °C rated  
Q101 compliant  
Standard level compatible.  
1.3 Applications  
Automotive systems  
12 V and 24 V loads  
Motors, lamps and solenoids  
General purpose power switching.  
1.4 Quick reference data  
EDS(AL)S 173 mJ  
ID 75 A  
RDSon = 10.2 m(typ)  
Ptot 167 W.  
2. Pinning information  
Table 1:  
Pinning - SOT428 (D-PAK), simplified outline and symbol  
Pin Description  
Simplified outline  
Symbol  
1
2
3
gate (g)  
d
mb  
[1]  
drain (d)  
source (s)  
g
mb mounting base;  
connected to  
s
MBB076  
drain (d)  
2
1
3
Top view  
MBK091  
SOT428 (D-PAK)  
[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT428 package.  

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