是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | PLASTIC, D2PAK-5 | 针数: | 5 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.24 | 雪崩能效等级(Eas): | 1500 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 75 A |
最大漏极电流 (ID): | 75 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0041 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G4 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 272 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 748 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BUK7207-30B | NXP |
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TrenchMOS standard level FET | |
BUK7207-30B,118 | NXP |
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BUK7207-30B - N-channel TrenchMOS standard level FET DPAK 3-Pin | |
BUK7208-40B | NXP |
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TrenchMOS standard level FET | |
BUK7208-40B,118 | NXP |
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BUK7208-40B - N-channel TrenchMOS standard level FET DPAK 3-Pin | |
BUK7210-55B | NXP |
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N-channel TrenchMOS standard level FET | |
BUK7212-55B | NXP |
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TrenchMOS standard level FET | |
BUK7212-55B,118 | NXP |
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BUK7212-55B - N-channel TrenchMOS standard level FET DPAK 3-Pin | |
BUK7212-55B_11 | NXP |
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N-channel TrenchMOS standard level FET | |
BUK7213-40A | NXP |
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TrenchMOS?? standard level FET | |
BUK7214-75B | NXP |
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N-channel TrenchMOS standard level FET |