Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUK7109-75AIE

BUK7109-75AIE

更新时间： 2024-11-25 06:44:39

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
13页	217K
描述
N-channel TrenchPLUS standard level FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BUK7109-75AIE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PLASTIC, D2PAK-5
针数：	5	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.19
雪崩能效等级（Eas）：	739 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.009 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	272 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	480 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK7109-75AIE 数据手册

BUK7109-75AIE

N-channel TrenchPLUS standard level FET

Rev. 02 — 10 February 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. The devices include TrenchPLUS current sensing

and diodes for ElectroStatic Discharge (ESD) protection. This product has been designed

and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

Electrostatically robust due to

Reduced component count due to

integrated protection diodes

integrated current sensor

Low conduction losses due to low

Suitable for standard level gate drive

on-state resistance

sources

Q101 compliant

1.3 Applications

Electrical Power Assisted Steering

Variable Valve Timing for engines

(EPAS)

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 2; see Figure 3

[1]

120

Static characteristics

R_DSon

drain-source

on-state resistance

V_GS= 10 V; I_D= 50 A;

T_j= 25 °C; see Figure 7;

see Figure 8

mΩ

I_D/I_senseratio of drain current T_j> -55 °C; T_j< 175 °C;

to sense current V_GS> 10 V

450

500

550

[1] Current is limited by power dissipation chip rating.

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与BUK7109-75AIE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK7109-75AIE/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,75V V(BR)DSS,120A I(D),TO-263BB
BUK7109-75ATE	NXP	获取价格	N-channel TrenchPLUS standard level FET
BUK7109-75ATE,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchPLUS standard level FET D2PAK 5-Pin
BUK714R1-40BT	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
BUK7207-30B	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
BUK7207-30B,118	NXP	获取价格	BUK7207-30B - N-channel TrenchMOS standard level FET DPAK 3-Pin
BUK7208-40B	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
BUK7208-40B,118	NXP	获取价格	BUK7208-40B - N-channel TrenchMOS standard level FET DPAK 3-Pin
BUK7210-55B	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET
BUK7212-55B	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET

与BUK7109-75AIE相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

39
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

31
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

59
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

55

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK7109-75AIE

BUK7109-75AIE 技术参数

BUK7109-75AIE 数据手册

与BUK7109-75AIE相关器件

与BUK7109-75AIE相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK7109-75AIE

BUK7109-75AIE 技术参数

BUK7109-75AIE 数据手册

与BUK7109-75AIE相关器件

与BUK7109-75AIE相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？