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BUK7105-40AIE/T3

更新时间： 2024-02-20 08:53:54

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
16页	132K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,155A I(D),TO-263BB

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BUK7105-40AIE/T3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	155 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	272 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

BUK7105-40AIE/T3 数据手册

BUK71/7905-40AIE

TrenchPLUS standard level FET

Rev. 04 — 6 February 2004

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology, featuring very low on-state resistance, TrenchPLUS

current sensing and diodes for ESD protection.

1.2 Features

■ ESD protection

■ Integrated current sensor

■ Q101 compliant

■ Standard level compatible.

1.3 Applications

■ Variable Valve Timing for engines

■ Electrical Power Assisted Steering.

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 40 V

■ I_D≤ 155 A

■ R_DSon= 4.5 mΩ (typ)

■ I_D/I_sense= 500 (typ).

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT426 and SOT263B, simpliﬁed outline and symbol

Simpliﬁed outline

Pin Description

Symbol

gate (g)

_sense(I_s)

drain (d)

Kelvin source

source (s)

2 3 4 5

mb mounting base;

connected to drain (d)

MBL368

sense

Kelvin source

Front view

MBK127

MBL263

SOT426 (D²-PAK)

SOT263B (TO-220)

12 3 4 5 6 7...16

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