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BUK7105-40ATE,118

更新时间： 2024-10-01 20:00:31

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		脉冲晶体管
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15页	206K
描述
N-channel TrenchPLUS standard level FET D2PAK 5-Pin

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BUK7105-40ATE,118 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	PLASTIC, D2PAK-5
针数：	5	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.21	雪崩能效等级（Eas）：	1460 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.005 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	272 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	620 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK7105-40ATE,118 数据手册

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BUK7105-40ATE

N-channel TrenchPLUS standard level FET

Rev. 02 — 10 February 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. The devices include TrenchPLUS diodes for

temperature sensing and ElectroStatic Discharge (ESD) protection. This product has been

designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical

applications.

1.2 Features and benefits

Allows responsive temperature

monitoring due to integrated

temperature sensor

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Q101 compliant

Electrostatically robust due to

Suitable for standard level gate drive

integrated protection diodes

sources

1.3 Applications

Electrical Power Assisted Steering

Variable Valve Timing for engines

(EPAS)

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Static characteristics

R_DSon

drain-sourceon-state V_GS= 10 V; I_D= 50 A;

4.5

mΩ

resistance

T_j= 25 °C; see Figure 7; see

Figure 8

S_F(TSD)

temperature sense

diode temperature

coefficient

I_F= 250 µA; T_j≥ -55 °C;

T_j≤ 175 °C

-1.4

648

-1.54 -1.68 mV/K

V_F(TSD)

temperature sense

diode forward

voltage

I_F= 250 µA; T_j= 25 °C

658

668

V_F(TSD)hystemperature sense

diode forward

I_F≤ 250 µA; T_j= 25 °C;

I_F≥ 125 µA

voltage hysteresis

12 3 4 5 6 7...15

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