Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUK7107-55AIE

BUK7107-55AIE

更新时间： 2024-11-20 22:05:31

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
15页	135K
描述
TrenchPLUS standard level FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BUK7107-55AIE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PLASTIC, D2PAK-5
针数：	5	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.33
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	460 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE, CURRENT AND KELVIN SENSOR
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.007 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	272 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	560 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK7107-55AIE 数据手册

BUK71/7907-55AIE

TrenchPLUS standard level FET

Rev. 01 — 12 August 2002

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology, featuring very low on-state resistance, TrenchPLUS

current sensing and diodes for ESD protection.

Product availability:

BUK7107-55AIE in SOT426 (D²-PAK)

BUK7907-55AIE in SOT263B (TO-220AB).

1.2 Features

■ Integrated current sensor

■ ESD protection

■ Q101 compliant

■ Standard level compatible.

1.3 Applications

■ Variable Valve Timing for engines

■ Electrical Power Assisted Steering.

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 55 V

■ I_D≤ 140 A

■ R_DSon= 5.8 mΩ (typ)

■ I_D/I_sense= 500 (typ).

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT426 and SOT263B, simpliﬁed outline and symbol

Simpliﬁed outline

Pin Description

Symbol

gate (g)

I_sense

drain (d)

Kelvin source

source (s)

2 3 4 5

mb mounting base;

connected to drain (d)

MBL368

sense

Kelvin source

Front view

MBK127

MBL263

SOT426 (D²-PAK)

SOT263B (TO-220AB)

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

BUK7107-55AIE 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUK7107-55AIE,118	NXP	类似代替	N-channel TrenchPLUS standard level FET D2PAK 5-Pin

与BUK7107-55AIE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK7107-55AIE,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchPLUS standard level FET D2PAK 5-Pin
BUK7107-55AIE_09	NXP	获取价格	N-channel TrenchPLUS standard level FET
BUK7107-55ATE	NXP	获取价格	N-channel TrenchPLUS standard level FET
BUK7107-55ATE,118	NXP	获取价格	BUK7107-55ATE - N-channel TrenchPLUS standard level FET D2PAK 5-Pin
BUK7108-40AIE	PHILIPS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
BUK7108-40AIE	NXP	获取价格	TrenchPLUS standard level FET
BUK7109-75AIE	NXP	获取价格	N-channel TrenchPLUS standard level FET
BUK7109-75AIE/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,75V V(BR)DSS,120A I(D),TO-263BB
BUK7109-75ATE	NXP	获取价格	N-channel TrenchPLUS standard level FET
BUK7109-75ATE,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchPLUS standard level FET D2PAK 5-Pin

与BUK7107-55AIE相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK7107-55AIE

BUK7107-55AIE 技术参数

BUK7107-55AIE 数据手册

BUK7107-55AIE 替代型号

与BUK7107-55AIE相关器件

与BUK7107-55AIE相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK7107-55AIE

BUK7107-55AIE 技术参数

BUK7107-55AIE 数据手册

BUK7107-55AIE 替代型号

与BUK7107-55AIE相关器件

与BUK7107-55AIE相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？