5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TO-262, I2PAK-3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.76 | 雪崩能效等级（Eas）： | 368 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.006 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 657 A |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK6E3R4-40C,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-262 3-Pin |
|
| BUK6E4R0-75C | NXP |
获取价格 |
120A, 75V, 0.006ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3 |
|
| BUK6Y10-30P | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
|
| BUK6Y14-40P | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
|
| BUK6Y19-30P | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
|
| BUK6Y24-40P | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
|
| BUK6Y33-60P | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
|
| BUK6Y61-60P | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
|
| BUK7105-40AIE | NXP |
获取价格 |
TrenchPLUS standard level FET |
|
| BUK7105-40AIE/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,155A I(D),TO-263BB |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
