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BUK6E2R3-40C

更新时间： 2024-02-02 13:22:41
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
15页 375K
描述
N-channel TrenchMOS intermediate level FET

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BUK6E2R3-40C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TO-262, I2PAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
雪崩能效等级（Eas）：1020 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：120 A最大漏源导通电阻：0.0036 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：1006 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUK6E2R3-40C 数据手册

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BUK6E2R3-40C  
N-channel TrenchMOS intermediate level FET  
Rev. 1 — 18 August 2010  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET)  
in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been  
designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance  
automotive applications.  
1.2 Features and benefits  
„ AEC Q101 compliant  
„ Suitable for thermally demanding  
environments due to 175 °C rating  
„ Suitable for intermediate level gate  
drive sources  
1.3 Applications  
„ 12 V Automotive systems  
„ Start-Stop micro-hybrid applications  
„ Transmission control  
„ Electric and electro-hydraulic power  
steering  
„ Ultra high performance power  
„ Motors, lamps and solenoid control  
switching  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VDS  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
drain-source  
voltage  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
-
-
-
-
-
-
40  
V
[1]  
ID  
drain current  
VGS = 10 V; Tmb = 25 °C;  
see Figure 1  
120  
306  
A
Ptot  
total power  
dissipation  
Tmb = 25 °C; see Figure 2  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source  
VGS = 10 V; ID = 25 A;  
Tj = 25 °C; see Figure 11;  
see Figure 12  
-
2
2.3  
mΩ  
on-state  
resistance  
1234567...15

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与BUK6E2R3-40C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK6E3R2-55C NXP

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 		120A, 55V, 0.0048ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
BUK6E3R2-55C,127 NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-262 3-Pin
BUK6E3R4-40C NXP

获取价格

 		100A, 40V, 0.006ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
BUK6E3R4-40C,127 NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-262 3-Pin
BUK6E4R0-75C NXP

获取价格

 		120A, 75V, 0.006ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
BUK6Y10-30P NEXPERIA

获取价格

 		30 V, P-channel Trench MOSFETProduction
BUK6Y14-40P NEXPERIA

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 		40 V, P-channel Trench MOSFETProduction
BUK6Y19-30P NEXPERIA

获取价格

 		30 V, P-channel Trench MOSFETProduction
BUK6Y24-40P NEXPERIA

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 		40 V, P-channel Trench MOSFETProduction
BUK6Y33-60P NEXPERIA

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 		60 V, P-channel Trench MOSFETProduction

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