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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 26 weeks |
| 风险等级： | 1.62 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0043 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C5 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ036NE2LS | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET |
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| BSZ036NE2LSATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 25V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ037N06LS5 | INFINEON |
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N-通道功率MOSFET |
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| BSZ039N06NS | INFINEON |
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With BSZ039N06NS OptiMOS™ 5 60V power MOSFET |
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| BSZ040N04LS G | INFINEON |
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OptiMOS? 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和 |
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| BSZ040N04LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor |
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| BSZ040N04LSGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSZ040N04LSGXT | INFINEON |
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暂无描述 |
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| BSZ040N06LS5 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌OptiMOS? 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 |
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| BSZ042N04NSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor |
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