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BSZ040N04LSGATMA1

更新时间： 2024-11-05 21:13:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 331K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

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BSZ040N04LSGATMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：26 weeks
风险等级：1.66其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：130 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：18 A最大漏源导通电阻：0.0056 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSZ040N04LSGATMA1 数据手册

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BSZ040N04LS G  
OptiMOS™3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
40  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
4.0  
40  
mΩ  
A
PG-TSDSON-8  
• N-channel; Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• 100% Avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSZ040N04LS G  
PG-TSDSON-8  
040N04L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
40  
40  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
40  
40  
GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
V
R
GS=10 V, T A=25 °C,  
18  
thJA=60 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
160  
20  
Avalanche current, single pulse4)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T C=25 °C  
E AS  
V GS  
I D=20 A, R GS=25 Ω  
130  
±20  
mJ  
V
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 1.3  
page 1  
2009-11-05  
1234567...9

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