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BSZ042N06NSATMA1

更新时间: 2024-11-05 21:14:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 1574K
描述
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

BSZ042N06NSATMA1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:26 weeks
风险等级:1.66雪崩能效等级(Eas):130 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):40 A
最大漏源导通电阻:0.0042 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):44 pFJESD-30 代码:S-PDSO-N3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):69 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):160 A表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSZ042N06NSATMA1 数据手册

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MOSFET  
MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor  
OptiMOSTM  
OptiMOSTMꢀPower-Transistor,ꢀ60ꢀV  
BSZ042N06NS  
DataꢀSheet  
Rev.ꢀ2.3  
Final  
PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket  

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