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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSZ050N03LSG
BSZ050N03LSG PDF预览

BSZ050N03LSG

更新时间： 2024-11-05 09:00:39
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管高压局域网
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9页 501K
描述
OptiMOS?3 Power-MOSFET

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BSZ050N03LSG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC, TSDSON-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.25Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE雪崩能效等级（Eas）：70 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.0078 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSZ050N03LSG 数据手册

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BSZ050N03LS G  
OptiMOS™3 Power-MOSFET  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
5
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
40  
PG-TSDSON-8  
• N-channel; Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSZ050N03LS G  
PG-TSDSON-8  
050N03L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V GS=10 V, T C=25 °C  
V GS=10 V, T C=100 °C  
Continuous drain current  
40  
40  
A
V GS=4.5 V, T C=25 °C  
40  
40  
V GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
V GS=10 V, T A=25 °C,  
R thJA=60 K/W2)  
16  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
160  
20  
Avalanche current, single pulse4)  
Avalanche energy, single pulse  
T C=25 °C  
E AS  
I D=20 A, R GS=25 Ω  
70  
mJ  
I D=40 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
T j,max=150 °C  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
V
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
±20  
Rev. 1.3  
page 1  
2009-11-05  
1234567...9

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BSZ050N03LSG 替代型号

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