是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.28 |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级(Eas): | 40 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 25 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 40 A |
最大漏极电流 (ID): | 16 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0051 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-N3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 37 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 160 A | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSZ036NE2LSATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 25V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSZ037N06LS5 | INFINEON |
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N-通道功率MOSFET | |
BSZ039N06NS | INFINEON |
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With BSZ039N06NS OptiMOS™ 5 60V power MOSFET | |
BSZ040N04LS G | INFINEON |
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OptiMOS? 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器和 | |
BSZ040N04LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor | |
BSZ040N04LSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSZ040N04LSGXT | INFINEON |
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暂无描述 | |
BSZ040N06LS5 | INFINEON |
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英飞凌OptiMOS? 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 | |
BSZ042N04NSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor | |
BSZ042N04NSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 40V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |