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BSZ036NE2LS

更新时间： 2024-11-24 09:00:39

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BSZ036NE2LS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.28
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.0051 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-N3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	37 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

n-Channel Power MOSFET

OptiMOS™

BSZ036NE2LS

Data Sheet

2.0, 2011-03-18

Final

Industrial & Multimarket

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSZ036NE2LSATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 25V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ037N06LS5	INFINEON	获取价格	N-通道功率MOSFET
BSZ039N06NS	INFINEON	获取价格	With BSZ039N06NS OptiMOS™ 5 60V power MOSFET
BSZ040N04LS G	INFINEON	获取价格	OptiMOS? 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和
BSZ040N04LSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-Transistor
BSZ040N04LSGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ040N04LSGXT	INFINEON	获取价格	暂无描述
BSZ040N06LS5	INFINEON	获取价格	英飞凌OptiMOS? 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应
BSZ042N04NSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-Transistor
BSZ042N04NSGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 40V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me