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BSZ036NE2LSATMA1

更新时间： 2024-11-05 14:14:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 578K
描述
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 25V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

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BSZ036NE2LSATMA1 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.68
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：40 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.0051 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-N3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSZ036NE2LSATMA1 数据手册

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BSZ036NE2LS  
OptiMOSTM Power-MOSFET  
Features  
Product Summary  
VDS  
25  
3.6  
5.1  
40  
V
• Optimized for high performance Buck converter (Server,VGA)  
RDS(on),max  
VGS=10 V  
VGS=4.5 V  
mW  
• Very Low FOMQOSS for High Frequency SMPS  
• Low FOMSW for High Frequency SMPS  
ID  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V  
PG-TSDSON-8  
(fused leads)  
• 100% avalanche tested  
• Superior thermal resistance  
• N-channel  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSZ036NE2LS  
PG-TSDSON-8 (fused leads)  
036NE2L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
40  
40  
40  
A
V GS=10 V, T C=100 °C  
V GS=4.5 V, T C=25 °C  
V GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
40  
16  
V GS=4.5 V, T A=25 °C,  
R thJA=60 K/W  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
160  
20  
Avalanche current, single pulse3)  
Avalanche energy, single pulse  
T C=25 °C  
E AS  
V GS  
I D=20 A, R GS=25 W  
40  
mJ  
V
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
±20  
2) See figure 3 for more detailed information  
3) See figure 13 for more detailed information  
Rev. 2.2  
page 1  
2013-04-25  
1234567...9

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