Datasheet > BSZ042N04NSGATMA1

BSZ042N04NSGATMA1

更新时间： 2024-09-29 20:01:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网高压开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	242K
描述
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 40V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSZ042N04NSGATMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.77	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	40 A	最大漏源导通电阻：	0.0042 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-N5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSZ042N04NSGATMA1 数据手册

浏览型号BSZ042N04NSGATMA1的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号BSZ042N04NSGATMA1的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号BSZ042N04NSGATMA1的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号BSZ042N04NSGATMA1的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号BSZ042N04NSGATMA1的Datasheet PDF文件第6页

BSZ042N04NS G

Product Summary

OptiMOS™3 Power-Transistor

V _DS

4.2

Features

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• Fast switching MOSFET for SMPS

• Optimized technology for DC/DC converters

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

PG-TSDSON-8

• N-channel; Normal level

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• Superior thermal resistance

• Avalanche rated

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Marking

BSZ042N04NS G

PG-TSDSON-8

042N04N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

_GS=10 V, T _C=25 °C

_GS=10 V, T _C=100 °C

Continuous drain current

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

I _AS

T _C=25 °C

160

Avalanche current, single pulse⁴⁾

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

T _C=25 °C

E _AS

V _GS

I _D=20 A, R _GS=25 Ω

150

±20

¹⁾J-STD20 and JESD22

Rev. 1.3

page 1

2009-11-05

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与BSZ042N04NSGATMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSZ042N06NS	INFINEON	获取价格	New OptiMOSâ¢ 40V and 60V
BSZ042N06NSATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ0500NSI	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
BSZ0500NSI_15	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
BSZ0501NSI	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
BSZ0501NSI_15	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
BSZ0502NSI	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
BSZ0502NSI_15	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
BSZ0503NSI	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
BSZ0503NSI_15	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

与BSZ042N04NSGATMA1相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

24
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

22
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

22
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

34

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSZ042N04NSGATMA1

BSZ042N04NSGATMA1 技术参数

BSZ042N04NSGATMA1 数据手册

与BSZ042N04NSGATMA1相关器件

与BSZ042N04NSGATMA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSZ042N04NSGATMA1

BSZ042N04NSGATMA1 技术参数

BSZ042N04NSGATMA1 数据手册

与BSZ042N04NSGATMA1相关器件

与BSZ042N04NSGATMA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？