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BSZ0506NS_15

更新时间： 2024-11-06 01:23:47

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英飞凌 - INFINEON		/
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12页	1624K
描述
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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BSZ0506NS_15 数据手册

MOSFET

MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor

OptiMOS^TM

OptiMOS^TM5ꢀPower-MOSFET,ꢀ30ꢀV

BSZ0506NS

DataꢀSheet

Rev.ꢀ2.0

Final

PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSZ050N03LS G	INFINEON	获取价格	极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成
BSZ050N03LSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-MOSFET
BSZ050N03LS-G	INFINEON	获取价格	3 Power-MOSFET
BSZ050N03LSG_09	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-MOSFET
BSZ050N03LSGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ050N03MS G	INFINEON	获取价格	极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成
BSZ050N03MSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET
BSZ050N03MSGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ0589NS	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
BSZ0589NSATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me