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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.74 | 雪崩能效等级（Eas）： | 117 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0056 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ042N04NSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor |
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| BSZ042N04NSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 40V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ042N06NS | INFINEON |
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New OptiMOS⢠40V and 60V |
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| BSZ042N06NSATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ0500NSI | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| BSZ0500NSI_15 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| BSZ0501NSI | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| BSZ0501NSI_15 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| BSZ0502NSI | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| BSZ0502NSI_15 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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