5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSZ035N03MSG
BSZ035N03MSG PDF预览

BSZ035N03MSG

更新时间： 2024-11-05 06:44:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 326K
描述
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

BSZ035N03MSG 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC, TSDSON-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.24
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.0043 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：69 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSZ035N03MSG 数据手册

 浏览型号BSZ035N03MSG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSZ035N03MSG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSZ035N03MSG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSZ035N03MSG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSZ035N03MSG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSZ035N03MSG的Datasheet PDF文件第7页 
BSZ035N03MS G  
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET  
Product Summary  
V DS  
30  
3.5  
4.3  
40  
V
Features  
R DS(on),max  
V
V
GS=10 V  
GS=4.5 V  
mΩ  
• Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)  
• Low FOMSW for High Frequency SMPS  
• 100% avalanche tested  
I D  
A
PG-TSDSON-8  
• N-channel  
• Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Superior thermal resistance  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSZ035N03MS G  
PG-TSDSON-8  
035N03M  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
40  
40  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
40  
40  
GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
V
R
GS=4.5 V, T A=25 °C,  
18  
thJA=60 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
160  
20  
Avalanche current, single pulse4)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T C=25 °C  
E AS  
V GS  
I D=20 A, R GS=25 Ω  
150  
±20  
mJ  
V
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 1.6  
page 1  
2009-11-05  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与BSZ035N03MSG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSZ035N03MSGATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ036NE2LS INFINEON

获取价格

 		n-Channel Power MOSFET
BSZ036NE2LSATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 25V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ037N06LS5 INFINEON

获取价格

 		N-通道功率MOSFET
BSZ039N06NS INFINEON

获取价格

 		With BSZ039N06NS OptiMOS™ 5 60V power MOSFET
BSZ040N04LS G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS? 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和
BSZ040N04LSG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™3 Power-Transistor
BSZ040N04LSGATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ040N04LSGXT INFINEON

获取价格

 		暂无描述
BSZ040N06LS5 INFINEON

获取价格

 		英飞凌OptiMOS? 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应

与BSZ035N03MSG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证