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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSZ035N03MSG
BSZ035N03MSG PDF预览

BSZ035N03MSG

更新时间： 2024-11-24 06:44:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 326K
描述
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET

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BSZ035N03MSG 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC, TSDSON-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.24
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.0043 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：69 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSZ035N03MSG 数据手册

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BSZ035N03MS G  
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET  
Product Summary  
V DS  
30  
3.5  
4.3  
40  
V
Features  
R DS(on),max  
V
V
GS=10 V  
GS=4.5 V  
mΩ  
• Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)  
• Low FOMSW for High Frequency SMPS  
• 100% avalanche tested  
I D  
A
PG-TSDSON-8  
• N-channel  
• Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Superior thermal resistance  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSZ035N03MS G  
PG-TSDSON-8  
035N03M  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
40  
40  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
40  
40  
GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
V
R
GS=4.5 V, T A=25 °C,  
18  
thJA=60 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
160  
20  
Avalanche current, single pulse4)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T C=25 °C  
E AS  
V GS  
I D=20 A, R GS=25 Ω  
150  
±20  
mJ  
V
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 1.6  
page 1  
2009-11-05  
1234567...9

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与BSZ035N03MSG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSZ035N03MSGATMA1 INFINEON

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BSZ036NE2LSATMA1 INFINEON

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