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BSP60

更新时间： 2023-09-03 20:29:00

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	193K
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PNP Darlington transistorProduction

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BSP60 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	1.3 V	Base Number Matches：	1

BSP60 数据手册

BSP60

PNP Darlington transistor

2 May 2018

Product data sheet

1. General description

PNP Darlington transistor in an SOT223 plastic package.

NPN complement: BSP50

2. Features and benefits

•

High current of -1 A

•

Low voltage of -45 V

Integrated diode and resistor

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Industrial switching applications such as:

- Print hammer

- Solenoid

- Relay and lamp drivers

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

V_CBO

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

-60

Unit

collector-base voltage open emitter

V_CES

collector-emitter

voltage

base short-circuited to emitter

-45

I_C

collector current

-1

-2

I_CM

h_FE

peak collector current

DC current gain

V_CE= -10 V; I_C= -150 mA

[1]

1000

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.

12 3 4 5 6 7...10

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