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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 8 weeks | 风险等级： | 5.66 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 21 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP60BSP62 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturatio |
|
| BSP60-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
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| BSP60-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP60T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 45V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-223 |
|
| BSP60-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP60-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP60TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP60TRL | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| BSP60TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| BSP61 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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