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BSP60,115 PDF预览

BSP60,115

更新时间: 2024-01-25 13:11:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 49K
描述
BSP60; BSP61; BSP62 - PNP Darlington transistors SC-73 4-Pin

BSP60,115 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SC-73
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:4 weeks风险等级:0.83
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):2000
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:1.5 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzVCEsat-Max:1.3 V
Base Number Matches:1

BSP60,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
handbook, halfpage  
BSP60; BSP61; BSP62  
PNP Darlington transistors  
Product specification  
2001 May 31  
Supersedes data of 1999 Apr 29  

BSP60,115 替代型号

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BSP60 NXP

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