BSP170

更新时间： 2024-09-15 22:39:39

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SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Avalanche rated)

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BSP170 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SOT-223, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.65
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	8 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.7 A
最大漏极电流 (ID)：	1.7 A	最大漏源导通电阻：	0.35 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.8 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6.8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSP170 数据手册

BSP 170

SIPMOS Small-Signal Transistor

• P channel

• Enhancement mode

• Avalanche rated

• V

= -2.1...-4.0 V

GS(th)

Pin 1 Pin 2 Pin 3 Pin 4

Type

Package

Marking

DS(on)

Ω

BSP 170

-60 V

-1.7 A

0.35

SOT-223

Type

Ordering Code

Tape and Reel Information

BSP 170

Q67000-S . . .

E6327

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

-1.7

Unit

Continuous drain current

T = 25 °C

DC drain current, pulsed

Dpuls

T = 25 °C

-6.8

Avalanche energy, single pulse

I = -1.7 A, V

= -25 V, R = 25 Ω

L = 3.23 mH, T = 25 °C

Gate source voltage

Power dissipation

tot

T = 25 °C

1.8

Semiconductor Group

22/05/1997

12 3 4 5 6 7 8

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