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BSH105,215

更新时间： 2024-01-12 13:47:32

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	107K
描述
BSH105 - N-channel vertical D-MOS logic level FET TO-236 3-Pin

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BSH105,215 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-236
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	0.48
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	1.05 A
最大漏源导通电阻：	0.25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	参考标准：	IEC-134
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSH105,215 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

N-channel enhancement mode

MOS transistor

BSH105

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• Very low threshold voltage

• Fast switching

V_DS= 20 V

• Logic level compatible

• Subminiature surface mount

package

I_D= 1.05 A

_DS(ON)≤ 250 mΩ (V_GS= 2.5 V)

V_GS(TO)≥ 0.4 V

GENERAL DESCRIPTION

PINNING

SOT23

N-channel, enhancement mode,

logic level, field-effect power

transistor. This device has very low

threshold voltage and extremely

fast switching making it ideal for

battery powered applications and

high speed digital interfacing.

DESCRIPTION

gate

Top view

source

drain

The BSH105 is supplied in the

SOT23

subminiature

surface

mounting package.

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-source voltage

± 8

1.05

0.67

4.2

0.417

0.17

150

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

R_GS= 20 kΩ

T_a= 25 ˚C

T_a= 100 ˚C

T_a= 25 ˚C

T_a= 100 ˚C

I_DM

P_tot

Drain current (pulse peak value)

Total power dissipation

˚C

T_stg, T_j

Storage & operating temperature

- 55

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

TYP.

MAX.

UNIT

R_{th j-a}

Thermal resistance junction to

ambient

FR4 board, minimum

footprint

300

K/W

August 1998

Rev 1.000

12 3 4 5 6 7

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BSH105,215 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSH105,235	NXP	类似代替	BSH105 - N-channel vertical D-MOS logic level FET TO-236 3-Pin
ZXM61N02F	DIODES	功能相似	N-Channel Mosfet

与BSH105,215相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSH105,235	NXP	获取价格	BSH105 - N-channel vertical D-MOS logic level FET TO-236 3-Pin
BSH105/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1050 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SMD, 3 PIN, FET Ge
BSH105T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1050 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SMD, 3 PIN, FET Ge
BSH105TRL	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1050 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S
BSH105TRL13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1050 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S
BSH106	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode MOS transistor
BSH106/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1050 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-88, 6 PIN, FET General P
BSH106T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1050 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-88, 6 PIN, FET General P
BSH107	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode MOS transistor
BSH108	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode field-effect transistor

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