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BSH105T/R PDF预览

BSH105T/R

更新时间： 2024-01-21 09:32:44
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 145K
描述
TRANSISTOR 1050 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SMD, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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BSH105T/R 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.74
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.75 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

BSH105T/R 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
N-channel enhancement mode  
MOS transistor  
BSH105  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
d
• Very low threshold voltage  
• Fast switching  
VDS = 20 V  
• Logic level compatible  
• Subminiature surface mount  
package  
ID = 1.05 A  
R
DS(ON) ≤ 250 mΩ (VGS = 2.5 V)  
g
VGS(TO) ≥ 0.4 V  
s
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT23  
N-channel, enhancement mode,  
logic level, field-effect power  
transistor. This device has very low  
threshold voltage and extremely  
fast switching making it ideal for  
battery powered applications and  
high speed digital interfacing.  
PIN  
DESCRIPTION  
3
1
2
3
gate  
Top view  
source  
drain  
1
2
The BSH105 is supplied in the  
SOT23  
subminiature  
surface  
mounting package.  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source voltage  
-
-
-
-
-
-
-
-
20  
20  
± 8  
1.05  
0.67  
4.2  
0.417  
0.17  
150  
V
V
V
A
A
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
RGS = 20 kΩ  
Ta = 25 ˚C  
Ta = 100 ˚C  
Ta = 25 ˚C  
Ta = 25 ˚C  
Ta = 100 ˚C  
IDM  
Ptot  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
A
W
W
˚C  
Tstg, Tj  
Storage & operating temperature  
- 55  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
ambient  
FR4 board, minimum  
footprint  
300  
-
K/W  
August 1998  
1
Rev 1.000  
1234567

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