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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-236 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | Factory Lead Time： | 4 weeks |
| 风险等级： | 0.6 | Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 705161 |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) |
| Samacsys Package Category： | SOT23 (3-Pin) | Samacsys Footprint Name： | SOT23_1 |
| Samacsys Released Date： | 2018-04-19 09:54:05 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRLML0030TRPBF | INFINEON |
功能相似  |
HEXFET Power MOSFET |
|
| 2N7002LT3G | ONSEMI |
功能相似 |
Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 |
|
| 2N7002LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSH108T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, FET General Purpo |
|
| BSH108TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, FET General Purpo |
|
| BSH108TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, FET General Purpo |
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| BSH111 | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| BSH111 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
|
| BSH111,215 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS extremely low level FET TO-236 3-Pin |
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| BSH111BK | NXP |
获取价格 |
SMALL SIGNAL, FET |
|
| BSH111BK | NEXPERIA |
获取价格 |
55 V, N-channel Trench MOSFETProduction |
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| BSH112 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
|
| BSH112,235 | NXP |
获取价格 |
BSH112 - N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-236 3-Pin |
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