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BSH114TRL13

更新时间： 2024-02-06 19:15:27

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	276K
描述
TRANSISTOR 850 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, FET General Purpose Small Signal

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BSH114TRL13 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	0.85 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSH114TRL13 数据手册

BSH114

N-channel enhancement mode ﬁeld effect transistor

Rev. 01 — 09 November 2000

Product speciﬁcation

M3D088

1. Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™¹technology.

Product availability:

BSH114 in SOT23.

2. Features

■ TrenchMOS™ technology

■ Low on-state resistance

■ Very fast switching

■ Surface mount package.

3. Applications

■ Relay driver

■ DC to DC converter

■ General purpose switch.

4. Pinning information

Table 1: Pinning - SOT23, simpliﬁed outline and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

source (s)

drain (d)

MBB076

Top view

MSB003

SOT23

1. TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.

12 3 4 5 6 7...13

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BSH-120-01-C-D-LC	SAMTEC	获取价格	Board Connector
BSH-120-01-C-D-LC-TR	SAMTEC	获取价格	Board Stacking Connector, 240 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Surface Mount Termin
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