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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-236 | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 2.95 | 其他特性： | FAST SWITCHING |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.335 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.335 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.83 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBF170LT1G | ONSEMI |
功能相似  |
Power MOSFET 500 mA, 60 V |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSH111BK | NXP |
获取价格 |
SMALL SIGNAL, FET |
|
| BSH111BK | NEXPERIA |
获取价格 |
55 V, N-channel Trench MOSFETProduction |
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| BSH112 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
|
| BSH112,235 | NXP |
获取价格 |
BSH112 - N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-236 3-Pin |
|
| BSH114 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field effect transistor |
|
| BSH114,215 | NXP |
获取价格 |
BSH114 - N-channel TrenchMOS standard level FET TO-236 3-Pin |
|
| BSH114-215 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field effect transistor |
|
| BSH114TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 850 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, FET General Purpo |
|
| BSH114TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 850 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, FET General Purpo |
|
| BSH-120-01-C-D | SAMTEC |
获取价格 |
Board Connector, 240 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Surface Mount Terminal, Socke |
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