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BSH112,235

更新时间： 2024-01-25 03:31:51

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	117K
描述
BSH112 - N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-236 3-Pin

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BSH112,235 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-236
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.3 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	10 pF
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSH112,235 数据手册

BSH112

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor

Rev. 01 — 25 August 2000

Product speciﬁcation

M3D088

1. Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™¹technology.

Product availability:

BSH112 in SOT23.

2. Features

■ TrenchMOS™ technology

■ Very fast switching

■ Logic level compatible

■ Subminiature surface mount package

■ Gate-source ESD protection diodes.

3. Applications

■ Relay driver

■ High speed line driver

■ Logic level translator.

4. Pinning information

Table 1: Pinning - SOT23, simpliﬁed outline and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

source (s)

drain (d)

03ab44

03ab60

SOT23

N-channel MOSFET

1. TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.

12 3 4 5 6 7...13

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BSH112,235 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N7002	ONSEMI	功能相似	N沟道增强模式场效应晶体管60V，0.115A，7.5Ω

与BSH112,235相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSH114	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode field effect transistor
BSH114,215	NXP	获取价格	BSH114 - N-channel TrenchMOS standard level FET TO-236 3-Pin
BSH114-215	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode field effect transistor
BSH114TRL	NXP	获取价格	TRANSISTOR 850 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, FET General Purpo
BSH114TRL13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 850 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, FET General Purpo
BSH-120-01-C-D	SAMTEC	获取价格	Board Connector, 240 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Surface Mount Terminal, Socke
BSH-120-01-C-D-A	SAMTEC	获取价格	Board Stacking Connector, 240 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Surface Mount Termin
BSH-120-01-C-D-A-TR	SAMTEC	获取价格	Board Stacking Connector, 240 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Surface Mount Termin
BSH-120-01-C-D-LC	SAMTEC	获取价格	Board Connector
BSH-120-01-C-D-LC-TR	SAMTEC	获取价格	Board Stacking Connector, 240 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Surface Mount Termin

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