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BSH105TRL13

更新时间： 2024-01-01 04:10:04
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
7页 110K
描述
TRANSISTOR 1050 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal

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BSH105TRL13 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.08
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：1.05 A
最大漏源导通电阻：0.25 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSH105TRL13 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
N-channel enhancement mode  
MOS transistor  
BSH105  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
d
• Very low threshold voltage  
• Fast switching  
VDS = 20 V  
• Logic level compatible  
• Subminiature surface mount  
package  
ID = 1.05 A  
R
DS(ON) ≤ 250 mΩ (VGS = 2.5 V)  
g
VGS(TO) ≥ 0.4 V  
s
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT23  
N-channel, enhancement mode,  
logic level, field-effect power  
transistor. This device has very low  
threshold voltage and extremely  
fast switching making it ideal for  
battery powered applications and  
high speed digital interfacing.  
PIN  
DESCRIPTION  
3
1
2
3
gate  
Top view  
source  
drain  
1
2
The BSH105 is supplied in the  
SOT23  
subminiature  
surface  
mounting package.  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source voltage  
-
-
-
-
-
-
-
-
20  
20  
± 8  
1.05  
0.67  
4.2  
0.417  
0.17  
150  
V
V
V
A
A
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
RGS = 20 kΩ  
Ta = 25 ˚C  
Ta = 100 ˚C  
Ta = 25 ˚C  
Ta = 25 ˚C  
Ta = 100 ˚C  
IDM  
Ptot  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
A
W
W
˚C  
Tstg, Tj  
Storage & operating temperature  
- 55  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
ambient  
FR4 board, minimum  
footprint  
300  
-
K/W  
August 1998  
1
Rev 1.000  
1234567

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与BSH105TRL13相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSH106 NXP

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 		N-channel enhancement mode MOS transistor
BSH106/T3 NXP

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 		TRANSISTOR 1900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, FET General Purpo
BSH108TRL13 NXP

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