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BSC025N08LS5

更新时间： 2024-11-05 21:11:39

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英飞凌 - INFINEON		/
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12页	869K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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BSC025N08LS5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BSC025N08LS5 数据手册

BSC025N08LS5

MOSFET

OptiMOS^TM5ꢀPower-Transistor,ꢀ80ꢀV

SuperSO8

Features

•ꢀOptimizedꢀforꢀhighꢀperformanceꢀSMPS,ꢀe.g.ꢀsync.ꢀRec.

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance

•ꢀN-channel,ꢀlogicꢀlevel

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

S 1

8 D

7 D

Parameter

Value

Unit

S 2

S 3

G 4

V_DS

R_DS(on),max

I_D

2.5

100

mΩ

6 D

5 D

Q_oss

Q_G(0V..4.5V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

BSC025N08LS5

PG-TDSON-8

025N08LS

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2016-10-25

12 3 4 5 6 7...12

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