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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSC025N03MSGXT
BSC025N03MSGXT PDF预览

BSC025N03MSGXT

更新时间： 2024-11-05 13:05:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 385K
描述
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC025N03MSGXT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：26 weeks
风险等级：5.72雪崩能效等级（Eas）：135 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：23 A
最大漏源导通电阻：0.003 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSC025N03MSGXT 数据手册

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BSC025N03LS G  
OptiMOS™3 Power-MOSFET  
Product Summary  
V DS  
30  
2.5  
100  
V
Features  
R DS(on),max  
I D  
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
mΩ  
A
PG-TDSON-8  
• N-channel; Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC025N03LS G  
PG-TDSON-8  
025N03LS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
100  
93  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
100  
77  
GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
V
R
GS=10 V, T A=25 °C,  
25  
thJA=50 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
400  
50  
Avalanche current, single pulse4)  
T C=25 °C  
E AS  
I D=50 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
135  
mJ  
I D=50 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
V
T
j,max=150 °C  
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
±20  
Rev. 1.6  
page 1  
2009-10-22  
1234567...10

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