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BFP460-E6327

更新时间： 2024-11-11 18:17:51

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Transistor

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BFP460-E6327 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	90
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	16000 MHz	Base Number Matches：	1

BFP460-E6327 数据手册

BFP460

NPN Silicon RF Transistor*

• For low voltage / low current applications

• Ideal for ESD protected low noise amplification

• Low noise figure: 1.1 dB at 1.8 GHz

• Excellent ESD performance

typical value 1500V (HBM)

• High f of 22 GHz

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

* Short term description

ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!

Type

BFP460

Marking

ABs

Pin Configuration

1 = E 2 = C 3 = E 4=B

Package

SOT343

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

T > 0 °C

CEO

4.5

4.2

1.5

T ≤ 0 °C

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CES

CBO

EBO

°C

200

Base current

Total power dissipation

tot

T ≤ 100°C

150

-65 ... 150

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

stg

¹Pb-containing package may be available upon special request

²T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

2008-08-14

12 3 4 5 6 7

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