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BFP490E6327

更新时间： 2024-10-01 14:48:03

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英飞凌 - INFINEON		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	70K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN

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BFP490E6327 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.32
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
基于收集器的最大容量：	4.7 pF	集电极-发射极最大电压：	4.5 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	元件数量：	1
端子数量：	5	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	17500 MHz
Base Number Matches：	1

BFP490E6327 数据手册

BFP490

SIEGET 25

NPN Silicon RF Transistor

For high power amplifiers

Compression point P

= 26.5 dBm at 1.8 GHz

-1dB

maxim. available Gain G = 8.5 dB at 1.8 GHz

Transition frequency f > 17 GHz

Gold metallization for high reliability

SIEGET 25 GHz f - Line

VPW05980

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

Marking

Pin Configuration

Package

BFP490

AOs

1 = B 2 = E 3 = C 4 = C 5 = E SCT595

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

4.5

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CBO

EBO

1.5

600

°C

Base current

1000

Total power dissipation

tot

85 °C

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

150

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

K/W

Junction - soldering point

thJS

T is measured on the emitter lead at the soldering point to the pcb

For calculation of R

please refer to Application Note Thermal Resistance

thJA

Aug-14-2001

12 3 4 5 6 7

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