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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.87 | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD679AG | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons |
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| BD679ALEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD679APBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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| BD679AS | ROCHESTER |
获取价格 |
4A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
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| BD679AS | ONSEMI |
获取价格 |
Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor, 2000-BLKBG |
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| BD679AS | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
|
| BD679AS_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD679ASTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
|
| BD679ASTU | ONSEMI |
获取价格 |
中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管 |
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| BD679G | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons |
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