BD680

更新时间： 2024-02-05 14:15:43

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3页	41K
描述
Silicon PNP Darligton Power Transistors

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BD680 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.92
最大集电极电流 (IC)：	4 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	750	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

BD680 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Darligton Power Transistors

BD676/BD678/BD680

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type BD675/BD677/BD679

·DARLINGTON

·High DC current gain

APPLICATIONS

·For use as output devices in

complementary general–purpose

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-45

UNIT

BD676

BD678

BD680

BD676

BD678

BD680

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-60

-80

-45

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-60

-80

V_EBO

I_C

Emitter -base voltage

Collector current

Open collector

-5

-4

I_B

Base current

-0.1

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-55~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

MAX

UNIT

R_{th j-c}

3.13

℃/W

12 3

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