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BD680A

更新时间： 2024-01-01 19:21:21

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3页	102K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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BD680A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.92
最大集电极电流 (IC)：	4 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	750	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

BD680A 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

BD676A/678A/680A/682

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type BD675A/677A/679A/681

·DARLINGTON

·High DC current gain

APPLICATIONS

·For medium power linear and

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings (Ta=25ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-45

UNIT

BD676A

BD678A

BD680A

BD682

-60

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-80

-100

-45

BD676A

BD678A

BD680A

BD682

-60

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-80

-100

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter -base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

-4

Collector current-Peak

Base current

-6

-0.1

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

150

-65~150

T_stg

ꢀ

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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