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BD679ASTU PDF预览

BD679ASTU

更新时间： 2024-11-18 20:11:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 38K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), 1920/RAIL

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BD679ASTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-126
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.6
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：750
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：40 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：10 MHz
Base Number Matches：1

BD679ASTU 数据手册

 浏览型号BD679ASTU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD679ASTU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BD679ASTU的Datasheet PDF文件第4页 
BD675A/677A/679A/681  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
•
Medium Power Darlington TR  
Complement to BD676A, BD678A, BD680A and BD682 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
: BD675A  
45  
60  
80  
V
V
V
V
CBO  
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
100  
V
V
: BD675A  
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
45  
60  
80  
V
V
V
V
CEO  
EBO  
100  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
V
A
I
I
I
4
6
C
A
CP  
B
100  
mA  
W
°C  
°C  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
40  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
V
(sus) *Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD675A  
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
I
= 50mA, I = 0  
45  
60  
80  
V
V
V
V
C
B
100  
I
I
I
Collector-Base Voltage : BD675A  
V
V
V
V
= 45V, I = 0  
200  
200  
200  
200  
µA  
µA  
µA  
µA  
CBO  
CEO  
EBO  
CB  
CB  
CB  
CB  
E
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
= 60V, I = 0  
E
= 80V, I = 0  
E
= 100V, V = 0  
BE  
Collector Cut-off Current : BD675A  
V
V
V
V
= 45V, V = 0  
500  
500  
500  
500  
µA  
µA  
µA  
µA  
CE  
CE  
CE  
CE  
BE  
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
= 60V, V = 0  
BE  
= 80V, V = 0  
BE  
= 100V, V = 0  
BE  
Emitter Cut-off Current  
V
= 5V, I = 0  
2
mA  
EB  
C
h
* DC Current Gain  
: BD675A/677A/679A  
: BD681  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
: BD675A/677A/679A  
V
V
= 3V, I = 2A  
750  
750  
FE  
CE  
CE  
C
= 3V, I = 1.5A  
C
V
V
(sat)  
(on)  
CE  
I
I
= 2A, I = 40mA  
2.8  
2.5  
V
V
C
C
B
: BD681  
= 1.5A, I = 30mA  
B
* Base-Emitter ON Voltage : BD675A/677A/679A  
: BD681  
V
V
= 3V, I = 2A  
2.5  
2.5  
V
V
BE  
CE  
CE  
C
= 3V, I = 1.5A  
C
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle=1.5% Pulsed  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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BD679ASTU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJE803STU FAIRCHILD

类似代替

 Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
KSE803STU FAIRCHILD

类似代替

 Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD679AG ONSEMI

功能相似

 Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons

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BD679G ONSEMI

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