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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BD680A
BD680A PDF预览

BD680A

更新时间： 2024-11-02 22:39:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
Medium Power Linear and Switching Applications

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BD680A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SIP包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.07Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：750JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BD680A 数据手册

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BD676A/678A/680A/682  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
•
Medium Power Darlington TR  
Complement to BD675A, BD677A, BD679A and BD681 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
: BD676A  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
V
CBO  
: BD678A  
: BD680A  
: BD682  
- 100  
V
V
Collector-Emitter Voltage : BD676A  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
V
CEO  
: BD678A  
: BD680A  
: BD682  
- 100  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
- 5  
- 4  
V
A
EBO  
I
I
I
C
- 6  
A
CP  
B
- 100  
14  
mA  
W
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
C
C
R
Thermal Resistance (Junction to Ambient)  
Junction Temperature  
88  
°C/W  
°C  
θja  
T
150  
J
T
Storage Temperature  
- 65 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
VCEO(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
: BD676A  
: BD678A  
: BD680A  
: BD682  
IC = - 50mA, IB = 0  
- 45  
- 60  
- 80  
- 100  
ICBO  
Collector-Base Voltage : BD676A  
VCB = - 45V, IE = 0  
- 200  
- 200  
- 200  
- 200  
µA  
µA  
µA  
µA  
: BD678A  
: BD680A  
: BD682  
V
CB = - 60V, IE = 0  
VCB = - 80V, IE = 0  
CB = - 100V, VBE = 0  
VCE = - 45V, VBE = 0  
V
ICEO  
Collector Cut-off Current : BD676A  
- 500  
- 500  
- 500  
- 500  
µA  
µA  
µA  
µA  
: BD678A  
: BD680A  
: BD682  
V
V
CE = - 60V, VBE = 0  
CE = - 80V, VBE = 0  
VCE = - 100V, VBE = 0  
IEBO  
hFE  
Emitter Cut-off Current  
VEB = - 5V, IC = 0  
- 2  
mA  
* DC Current Gain  
: BD676A/678A/680A  
: BD682  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
: BD676A/678A/680A  
VCE = - 3V, IC = - 2A  
750  
750  
VCE = - 3V, IC = - 1.5A  
VCE(sat)  
VBE(on)  
IC = - 2A, IB = - 40mA  
IC = - 1.5A, IB = - 30mA  
- 2.8  
- 2.5  
V
V
: BD682  
* Base-Emitter On Voltage : BD676A/678A/680A  
: BD682  
VCE = - 3V, IC = - 2A  
VCE = - 3V, IC = - 1.5A  
- 2.5  
- 2.5  
V
V
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle=1.5% Pulse  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, September 2002  
1234

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