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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SIP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.09 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz |
| VCEsat-Max： | 2.8 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BD679ASTU | ONSEMI |
类似代替  |
中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管 |
|
| BD679 | ONSEMI |
类似代替 |
DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD679ALEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD679APBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| BD679AS | ROCHESTER |
获取价格 |
4A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
|
| BD679AS | ONSEMI |
获取价格 |
Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor, 2000-BLKBG |
|
| BD679AS | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
|
| BD679AS_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD679ASTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
|
| BD679ASTU | ONSEMI |
获取价格 |
中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管 |
|
| BD679G | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons |
|
| BD680 | TRSYS |
获取价格 |
PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS |
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