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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BD680A
BD680A PDF预览

BD680A

更新时间： 2024-02-19 19:13:50
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 113K
描述
DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP SILICON

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BD680A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.92
最大集电极电流 (IC)：4 A配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：750JESD-609代码：e0
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：40 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：10 MHzBase Number Matches：1

BD680A 数据手册

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by BD676/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . for use as output devices in complementary general–purpose amplifier applica-  
tions.  
•
High DC Current Gain —  
= 750 (Min) @ I = 1.5 and 2.0 Adc  
Monolithic Construction  
BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682 are complementary with BD675, 675A,  
677, 677A, 679, 679A, 681  
h
FE  
C
•
•
•
BD 678, 678A, 680, 680A are equivalent to MJE 700, 701, 702, 703  
4.0 AMPERE  
DARLINGTON  
POWER TRANSISTORS  
PNP SILICON  
45, 60, 80, 100 VOLTS  
40 WATTS  
MAXIMUM RATING  
BD676  
BD678  
BD680  
BD676A BD678A BD680A  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
BD682  
100  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
V
CEO  
45  
45  
60  
60  
80  
80  
V
100  
CB  
EB  
V
5.0  
4.0  
0.1  
I
C
Base Current  
I
B
Total Device Dissipation  
P
D
@ T = 25  
C
40  
0.32  
Watts  
W/ C  
C
Derate above 25 C  
Operating and Storage Junction T , T  
Temperating Range  
–55 to +150  
C
J
stg  
CASE 77–08  
TO–225AA TYPE  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
θ
3.13  
C/W  
JC  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5.0  
0
15  
30  
45  
60  
75  
90  
105 120 135 150  
C)  
165  
T
, CASE TEMPERATURE (  
°
C
Figure 1. Power Temperature Derating  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
1234

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BD680A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP32CG ONSEMI

功能相似

 Complementary Silicon Plastic Power Transistors
TIP41CG ONSEMI

功能相似

 Complementary Silicon Plastic Power Transistors
TIP127G ONSEMI

功能相似

 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

与BD680A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD680AG ONSEMI

获取价格

 		Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons
BD680ALEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
BD680AS FAIRCHILD

获取价格

 		PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),
BD680AS ONSEMI

获取价格

 		4.0 A, 80 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
BD680ASTU ONSEMI

获取价格

 		暂无描述
BD680CS PANJIT

获取价格

 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
BD680CT PANJIT

获取价格

 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
BD680G ONSEMI

获取价格

 		Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons
BD681 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BD681 FAIRCHILD

获取价格

 		Medium Power Linear and Switching Applications

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