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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP127G
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TIP127G

更新时间： 2024-11-03 04:11:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 91K
描述
Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

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TIP127G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.56
其他特性：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：65 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

TIP127G 数据手册

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TIP120, TIP121, TIP122  
(NPN); TIP125, TIP126,  
TIP127 (PNP)  
Preferred Devices  
Plastic Medium−Power  
Complementary Silicon  
Transistors  
http://onsemi.com  
Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching  
applications.  
DARLINGTON  
5 AMPERE  
Features  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60−80−100 VOLTS, 65 WATTS  
• High DC Current Gain −  
h
= 2500 (Typ) @ I  
= 4.0 Adc  
FE  
C
• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 100 mAdc  
V
= 60 Vdc (Min) − TIP120, TIP125  
= 80 Vdc (Min) − TIP121, TIP126  
= 100 Vdc (Min) − TIP122, TIP127  
MARKING  
DIAGRAM  
CEO(sus)  
4
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −  
V
CE(sat)  
= 2.0 Vdc (Max) @ I = 3.0 Adc  
C
= 4.0 Vdc (Max) @ I = 5.0 Adc  
C
TO−220AB  
TIP12xG  
AYWW  
• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors  
• Pb−Free Packages are Available*  
CASE 221A  
STYLE 1  
1
2
3
TIP12x = Device Code  
x
A
Y
= 0, 1, 2, 5, 6, or 7  
= Assembly Location  
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
September, 2005 − Rev. 6  
TIP120/D  
1234567

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TIP127G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP117G ONSEMI

完全替代

 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
TIP107G ONSEMI

完全替代

 Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors
TIP126TU ONSEMI

类似代替

 Medium Power PNP Darlington Bipolar Power Transistor

与TIP127G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP127G-T60-K UTC

获取价格

 		PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
TIP127G-T6S-K UTC

获取价格

 		PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
TIP127G-TA3-T UTC

获取价格

 		PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
TIP127G-TF3-T UTC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor,
TIP127G-TND-R UTC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor,
TIP127-HAF SWST

获取价格

 		达林顿三极管
TIP127J69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP127L MCC

获取价格
TIP127L FOSHAN

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 		TO-126
TIP127L-T60-K UTC

获取价格

 		PNP EPITAXIAL TRANSISTOR

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