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BD682

更新时间： 2024-01-12 01:23:03

品牌	Logo	应用领域
COMSET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	80K
描述
SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

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BD682 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	TO-225AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.14
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	750
JEDEC-95代码：	TO-225AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BD682 数据手册

PNP BD676-BD678-BD680-BD682

NPN BD675-BD677-BD679-BD681

SILICON DARLINGTON POWER

TRANSISTORS

The BD676-BD678-BD680-BD682 are PNP eptaxial-base transistors in monolithic

Darlington circuit for audio and video applications.

They are mounted in Jedec TO-126 plastic package.

NPN complements are BD675-BD677-BD679-BD681 .

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BD676

BD678

BD680

BD682

BD676

BD678

BD680

BD682

100

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

-V_CEO

-V_CBO

-V_EBO

-I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current

0.1

-I_C

-I_CM

-I_BM

@ T_mb= 25°C

Base current (peak value)

Total power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Watts

°C

-I_B

P_T

T_J

T_Stg

150

-65 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to mouting base

Thermal Resistance, Junction to ambient in free air

3.12

100

K/W

R_thJ-mb

R_thJ-a

COMSET SEMICONDUCTORS

12 3

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与BD682相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD682A	COMSET	获取价格	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
BD682A	ONSEMI	获取价格	PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS
BD682G	ONSEMI	获取价格	Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons
BD682LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic
BD682S	ONSEMI	获取价格	4.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
BD682STU	FAIRCHILD	获取价格	PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),
BD682STU	ONSEMI	获取价格	4.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor, 1920-TUBE
BD682T	ONSEMI	获取价格	Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons
BD682TG	ONSEMI	获取价格	Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons
BD683	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors