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BD681A

更新时间： 2024-02-08 20:45:15

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COMSET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	114K
描述
SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

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BD681A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	750	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BD681A 数据手册

NPN BD675/A - BD677/A - BD679/A - BD681/A

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

The BD675/A-BD677/A-BD679/A-BD681/A are NPN transistors mounted in Jedec TO-126

plastic package.

They are eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video

applications.

PNP complements are BD676/A - BD678/A - BD680/A - BD682/A

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CEO

Ratings

Value

Unit

BD675/A

BD677/A

BD679/A

BD681/A

BD675/A

BD677/A

BD679/A

BD681/A

100

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

V_CBO

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current

0.1

I_C

I_CM

I_BM

I_B

P_T

T_J

Base current (peak value)

Total power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

@ T_mb= 25°C

°C

150

-65 to +150

T_Stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

R_thJ-mb

R_thJ-a

Thermal Resistance, Junction to mouting base

Thermal Resistance, Junction to ambient in free air

3.12

100

K/W

23/10/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1 |3

12 3

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与BD681A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD681G	ONSEMI	获取价格	Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons
BD681LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic
BD681S	FAIRCHILD	获取价格	NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),
BD681S	ROCHESTER	获取价格	4A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
BD681S	ONSEMI	获取价格	中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管
BD681S_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic
BD681STU	FAIRCHILD	获取价格	Medium Power Linear and Switching Applications
BD681STU	ONSEMI	获取价格	中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管
BD682	ONSEMI	获取价格	DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP SILICON
BD682	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors